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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3135(L) |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 0.012 ohm, POWER, FET |
| 封裝： | LDPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 2SK3135(L) |
2SK3135(L),2SK3135(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
60
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
75
A
Drain peak current
I
D(pulse)
Note 1
300
A
Body-drain diode reverse drain current
I
DR
75
A
Avalanche current
I
AP
Note 3
50
A
Avalanche energy
E
AR
Note 3
214
mJ
Channel dissipation
Pch Note 2
100
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. PW
≤ 10 s, duty cycle ≤ 1%
2. Value at Tc = 25
°C
3. Value at Tch = 25
°C, Rg ≥ 50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3135STL-E | 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3136-E | 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3140 | 60 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3147(L) | 5 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3147(S) | 5 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3135L-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3135S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3135STL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3136 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3136-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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