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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3127(2-10S2B) |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 45 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 2-10S2B, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 178K |
| 代理商： | 2SK3127(2-10S2B) |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3127(2-10S1B) | 45 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3136 | 0.01 ohm, POWER, FET, TO-220AB |
| 2SK3141-E | 75 A, 30 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3142-E | 60 A, 30 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3147L-E | 5 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3127-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK3128 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3128(Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 30V 60A Rdson 0.012 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3128_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
| 2SK3128_09 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications |
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