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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3069 |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 66K |
| 代理商： | 2SK3069 |
2SK3069
7
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage
V
(V)
SD
Reverse
Drain
Current
I
(A)
DR
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
V
= 0, –5 V
GS
5 V
10 V
100
80
60
40
20
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
VDD
50
Vin
15 V
0
I D
VDS
I AP
V(BR)DSS
L
VDD
E
=
L I
2
1
V
– V
AR
AP
DSS
DD
2
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
250
200
150
100
50
25
50
75
100
125
150
0
Channel Temperature Tch (
°C)
Repetitive
Avalanche
Energy
E
(mJ)
AR
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
I
= 50 A
V
= 25 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
AP
DD
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3070(S) | 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3070(S) | 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3070(L) | 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3072 | 30 mA, 450 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK3077 | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3069-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3070 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 2SK3070(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-262VAR |
| 2SK3070(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263VAR |
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