型號: | 2SK3062-ZJ |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 70 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
封裝: | MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/10頁 |
文件大?。?/td> | 207K |
代理商: | 2SK3062-ZJ |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK3062-Z | 70 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3062-Z-AZ | 70 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK3069 | 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
2SK3069 | 75 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
2SK3070(S) | 75 A, 40 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK3064 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
2SK306400L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
2SK3064G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
2SK3065 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
2SK30651000 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Small switching (60V, 2A) |