參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK303V4
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 20 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： 2SK303V4
UTC2SK303
JFET
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
1
QW-R206-071,A
Low-Frequency General-Purpose
Amplifier Applications
FEATURES
* Ideal for potentiometers, analog switches, low
frequency amplifiers, constant current supplies, and
impedance conversion.
SOT-23
1
3
2
1: Drain
2: Source 3: Gate
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNIT
Drain-to-Source Voltage
VDSS
30
V
Gate-to-Drain Voltage
VGDS
-30
V
Gate Current
IG
10
mA
Drain Current
ID
20
mA
Allowable Power Dissipation
PD
200
mW
Junctin Temperature
Tj
150
℃
Storage Temperature
Tstg
-55 ~ +150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
Gate-to-Drain
V(BR)GDS
IG=-10μA
-30
V
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS=-20V
-1.0
nA
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS*
VDS=10V, VGS=0
0.6*
12.0*
mA
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=10V, ID=1μA
-1
-4
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |
VDS=10V, VGS=0, f=1MHz
2.5
6.0
mS
Input Capacitance
CiSS
VDS=10V, VGS=0, f=1MHz
5
pF
Reverse Transfer Capacitance
CrSS
VDS=10V, VGS=0, f=1MHz
1.5
pF
Drain-to- Source ON Resistance
RDS (ON)
VDS=10mV, VGS=0
250
CLASSIFICATION OF IDSS
RANK
V2
V3
V4
V5
MARKING CODE
V2
V3
V4
V5
IDSS (mA)
0.6 ~ 1.5
1.2 ~ 3.0
2.5 ~ 6.0
5.0 ~ 12.0
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PDF描述
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