型號(hào): | 2SK2788VYTR |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 2 A, 60 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大?。?/td> | 100K |
代理商: | 2SK2788VYTR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SC1213A(K)RF | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2SK2802ZV-TL | 0.5 A, 30 V, 0.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SJ186CYUR | 0.5 A, 200 V, 12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SD1101AC | 700 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SD974RR | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK2789(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin (3+Tab) TO-220FL/SM |
2SK2789-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
2SK2792 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
2SK2793 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |