參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2788
廠(chǎng)商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： 2SK2788
2SK2788
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
60
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
2
A
Drain peak current
4
A
Body to drain diode reverse drain current
2
A
Channel dissipation
1
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. When using the alumina ceramic board (12.5 x 20 x 0.7 mm)
Tstg
–55 to +150
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PDF描述
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參數(shù)描述
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