參數(shù)資料
型號： 2SK2736
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?頻道的DV -蜇場效應晶體管高速電源開關
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 34K
代理商： 2SK2736
2SK2736
Silicon N Channel DV–L MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-544
1st. Edition
Features
Low on-resistance
R
DS(on)
= 20 m
typ. (V
GS
= 10V, I
D
= 15 A)
4V gate drive devices.
High speed switching
Outline
123
1. Gate
2. Drain
3. Source
TO–220CFM
G
D
S
相關PDF資料
PDF描述
2SK2738 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2sk2739 Switching(開關(N溝道MOSFET))
2SK2740 Switching (600V, 7A)
2SK2775 Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SK2778 MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2736(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK2738(E) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
2SK2740 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2744 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2744(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN
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