參數(shù)資料
型號： 2SK2726
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SK2726
2SK2726
6
0.1
0.3
1
3
10
30
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50
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16
12
8
4
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1
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3
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1000
500
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200
20
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10
di / dt = 100 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
10
20
5
2
30
1
5000
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
I = 7 A
V
GS
V
DS
V = 100 V
250 V
400 V
V = 400 V
250 V
100 V
V = 10 V, V = 30 V
PW = 10
μ
s, duty < 1 %
Reverse Drain Current I (A)
R
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2727 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2728 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2729 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2730 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
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參數(shù)描述
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2SK2727(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK2729(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK2730-E 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Box 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Box
2SK2731T146 功能描述:MOSFET N-CH 30V 200MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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