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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2529 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2SK2529 |
2SK2529
7
100
80
60
40
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V (V)
Pulse Test
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
V = 0, –5 V
10 V
5 V
200
160
120
80
40
Channel Temperature Tch (°C)
R
A
Maximun Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
25
50
75
100
125
150
0
I = 45 A
V = 25 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
10 μ
100 μ
1 m
10 m
Pulse Width PW (S)
N
100 m
1
10
s
γ
DM
P
PW
T
D =T
ch – c = 3.57 °C/W, Tc = 25 °C
θ γ θ
θ
Tc = 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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