型號: | 2SK2395 |
廠商: | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
英文描述: | N-Channel Junction Silicon FET for Low-Noise HF Amplifier Applications(低噪聲 HF放大器應用的N溝道結型場效應管) |
中文描述: | N溝道結硅場效應管,高頻低噪聲放大器的應用(低噪聲高頻放大器應用的?溝道結型場效應管) |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大?。?/td> | 96K |
代理商: | 2SK2395 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK2418 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
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2SK2418S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
2SK2419 | MOSFET |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK2395F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SPAK |
2SK2395G | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SPAK |
2SK2395H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SPAK |
2SK2397-01MR | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET |
2SK2398 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 45A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |