參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2373
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： 2SK2373
2SK2373
4
200
150
100
50
0
C
50
100
150
200
Ambient Temperature Ta (°C)
Maximum Channel Dissipation Curve
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
1
0.1
0.01
0.001
0.3
0.03
0.003
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1 ms
PW=
Ta = 25 °C
1 shot pulse
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
2
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
4
6
8
10
5 V
4.5 V
4 V
3.5 V
3 V
V = 2.5 V
Pulse Test
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
Gate to Source Voltage V (V)
GS
D
D
Typical Transfer Characteristics
V = 10 V
1
2
3
4
5
Ta = –25 °C
75 °C
25 °C
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PDF描述
2SK2393 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2394 N-Channel Junction Silicon FET for Low-Noise HF Amplifier Applications(低噪聲 HF放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
2SK2395 N-Channel Junction Silicon FET for Low-Noise HF Amplifier Applications(低噪聲 HF放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
2SK2418 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2418L Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
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參數(shù)描述
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