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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2329L |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 13/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | 2SK2329L |
2SK2329(L), 2SK2329(S)
6
Reverse Drain Current
I
(A)
DR
Reverse
Recovery
Time
trr
(ns)
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
1000
200
500
100
20
50
10
0.2
0.5
1
2
5
10
20
di/dt = 20 A/
s
V
= 0, Ta = 25
°C
GS
010
20
30
40
50
Capacitance
C
(pF)
Drain to Source Voltage V
(V)
DS
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
5000
2000
1000
200
500
100
50
Ciss
Coss
Crss
V
= 0
f = 1 MHz
GS
100
80
60
40
20
0
Gate Charge
Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
(V)
DS
20
16
12
8
4
Gate
to
Source
Voltage
V
(V)
GS
V
= 10 V
25 V
DD
I
= 10 A
D
VGS
VDS
V
= 25 V
10 V
DD
Dynamic Input Characteristics
20
40
60
80
100
0
Drain Current
I
(A)
D
Switching
Time
t
(ns)
Switching Characteristics
1000
200
500
100
20
50
10
0.2
0.5
1
2
5
10
20
V
= 4 V, V
= 10 V
PW = 3 s, duty < 1 %
GS
DD
t f
r
t
d(on)
t
d(off)
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2329S | 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2329L-E | 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2331 | KA BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK2352 | 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK238-T2BK16 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2329-L(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK2329S | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
| 2SK2330(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-262VAR |
| 2SK2330(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-263VAR |
| 2SK2330L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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