參數(shù)資料
型號: 2SK2329L-E
元件分類: JFETs
英文描述: 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: DPAK-3
文件頁數(shù): 9/14頁
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代理商: 2SK2329L-E
2SK2329(L), 2SK2329(S)
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
30
V
Gate to source voltage
V
GSS
±10
V
Drain current
I
D
10
A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
40
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
10
A
Channel dissipation
Pch*
2
20
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes
1. PW 10 s, duty cycle 1 %
2. Value at Tc = 25 °C
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PDF描述
2SK2329S 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2329L 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2329S 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2329L-E 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2331 KA BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
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