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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2329(S) |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 0.06 ohm, POWER, FET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 56K |
| 代理商： | 2SK2329(S) |
2SK2329(L), 2SK2329(S)
5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Gate to Source Voltage
V
(V)
GS
Drain
to
Source
Voltage
V
(V)
DS(on)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
24
6
8
10
Pulse Test
I
= 10 A
D
2 A
5 A
Drain Current
I
(A)
D
Drain
to
Source
On
State
Resistance
R
(
)
DS(on)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100
V
= 2.5 V
GS
4 V
Pulse Test
1
0.2
0.5
0.1
0.02
0.05
0.01
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature
Tc
(°C)
0
R
(
)
DS(on)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
Pulse Test
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
I
= 2 A, 5 A, 10 A
D
V
= 4 V
GS
2.5 V
2 A, 5 A, 10 A
0.1
Forward
Transfer
Admittance
|yfs|
(S)
Drain Current I
(A)
D
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
0.3
1
3
10
30
100
50
20
10
2
5
1
0.5
25 °C
Tc = –25 °C
75 °C
DS
V
= 10 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2329(L) | 0.06 ohm, POWER, FET |
| 2SK2329(L) | 0.06 ohm, POWER, FET |
| 2SK2329L-E | 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2329S | 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2329L | 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2330(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-262VAR |
| 2SK2330(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-263VAR |
| 2SK2330L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SK2330S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| 2SK2331 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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