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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2327 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TOP3E, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 163K |
| 代理商： | 2SK2327 |
2
Power F-MOS FETs
2SK2327
Area of safe operation (ASO)
PD Ta
IAS
L-load
ID VGS
RDS(on) ID
| Yfs | ID
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.1
1
10
100
Non repetitive pulse
T
C=25C
I
DP
t=100
s
1ms
10ms
100ms
DC
I
D
Drain to source voltage V
DS
(V)
Drain
current
I
D
(A
)
020
40
60
80 100 120 140 160
0
20
40
60
80
100
120
(1) T
C=Ta
(2) Without heat sink
(P
D=3W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
Allowable
power
dissipation
P
D
(W
)
0.1
1
0.3
3
10
0.1
1
10
0.3
3
30
100
100mJ
T
C=25C
L-load (mH)
Avalanche
current
IAS
(A
)
010
8
26
4
0
12
10
8
6
4
2
V
DS=25V
T
C=25C
Gate to source voltage V
GS
(V)
Drain
current
I
D
(A
)
012
10
8
26
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS=10V
T
C=100C
25C
0C
Drain current I
D
(A)
Drain
to
source
ON-resistance
R
DS(on)
(
)
012
10
8
26
4
0
12
10
8
6
4
2
V
DS=25V
T
C=25C
Drain current I
D
(A)
Forward
transfer
admittance
|Y
fs
|
(S
)
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
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information.
http://panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 2SK2329-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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