型號(hào): | 2SK2315TYTL-E |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 2 A, 60 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | LEAD FREE, SC-62, UPAK-3 |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大?。?/td> | 166K |
代理商: | 2SK2315TYTL-E |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N2223A | 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-77 |
2SC3705-LS | 1.2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2N4905 | 5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2SC4457N-RF | 4 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2SK3432-ZJ-AZ | 83 A, 40 V, 0.0069 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK2315TYTR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A UPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
2SK2315TYTR-E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
2SK2316 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
2SK2317 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Very High-Speed Switching Applications |
2SK2318 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Very High-Speed Switching Applications |