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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2311TE24R |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 25 A, 60 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 80K |
| 代理商： | 2SK2311TE24R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2552J3 | 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK2552J6 | 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK2552J5 | 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK2552J7 | 10 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK2586 | 60 A, 60 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2312 | 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 45A Rdson 0.017 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2312(F) | 功能描述:MOSFET N-Ch 60V 45A Rdson 0.017 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2312_02 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−ば-MOSV) |
| 2SK2312_06 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−ば-MOSV) |
| 2SK2312_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−ば-MOSV) |
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