參數資料
型號: 2SK222
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
封裝: NP, 3 PIN
文件頁數: 3/4頁
文件大小: 41K
代理商: 2SK222
2SK222
No.836-3/4
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain Current, IDSS -- mA
Drain
Current,
I
D
--
mA
ITR00590
ID -- VGS
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
2
4
6
8
10
12
I DSS
=9.0mA
5.0mA
3.0mA
1.0mA
Cutof
fV
oltage,
V
GS
(of
f)
--
V
ITR00591
VGS(off) -- IDSS
57
1.0
23
5
7
10
2
0.1
7
1.0
5
3
2
VDS=10V
020
40
60
80
100
120
140
0
40
80
120
280
320
200
240
360
160
Ambient Temperature, Ta --
°C
PD -- Ta
Allo
w
able
Po
wer
Dissipation,
P
D
--
mW
ITR00596
I DSS
=1.0mA
5.0mA
9.0mA
3.0mA
ID=0.1mA
0.3mA
3.0mA
ITR00592
VDS=10V
f=1kHz
0.1
5
3
2
7
5
3
2
1.0
3
2
7
10
5
3
2
1.0
10
7
100
7
5
3
2
ITR00593
VDS=10V
VGS=0V
f=1kHz
5
3
2
7
5
1.0
2
7
10
5
3
2
10
7
100
7
5
yfs -- IDSS
Frequency, f -- Hz
NF -- f
Noise
Figure,
NF
--
dB
Noise
Figure,
NF
--
dB
ITR00594
10
100
1k
5
1M
25
22
5 10k 25 100k 25
10
100
1k
5
1M
25
22
5 10k 25 100k 25
0
1
2
3
4
11
5
6
7
8
9
10
12
0
1
2
3
4
11
5
6
7
8
9
10
12
VDS=10V
Rg=1k
NF -- f
ITR00595
VDS=10V
ID=3mA
Rg=500
1k
10k
yfs -- ID
Drain Current, ID -- mA
F
orw
ard
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
Drain Current, IDSS -- mA
F
orw
ard
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
VDS=10V
ID=10A
相關PDF資料
PDF描述
2SK222D 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2SK2329(S) 0.06 ohm, POWER, FET
2SK2329(L) 0.06 ohm, POWER, FET
2SK2329(L) 0.06 ohm, POWER, FET
2SK2329L-E 10 A, 30 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK2220 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 180V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P
2SK2220-E 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 180V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 180V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 180V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
2SK2221 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 8A 3PIN TO-3P - Rail/Tube
2SK2221-E 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件