參數(shù)資料
型號： 2SK216-E
元件分類： JFETs
英文描述： 0.5 A, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： 2SK216-E
2SA1924
2006-11-09
3
Collector-emitter voltage VCE (V)
IC – VCE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(
m
A
)
Collector-emitter voltage VBE (V)
IC – VBE
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(
m
A
)
Collector current IC (mA)
hFE – IC
DC
curre
nt
gain
h
FE
Collector current IC (mA)
Colle
ctor-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
CE
(sat)
(V)
Collector current IC (mA)
VBE (sat) – IC
Base-emi
tter
sa
tura
tion
vol
tage
V
BE
(sat)
(V)
Collector-emitter voltage VCE (V)
Safe Operating Area
Colle
ct
or
curr
ent
I C
(
m
A
)
VCE (sat) – IC
500
0
400
300
200
100
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.2
Common emitter
VCE = 5 V
Tc = 100°C
25
55
1
30
0.03
1
3
0.3
0.1
10
100
1000
Common emitter
IC/IB = 10
Tc = 55°C
25
100
0.05
0.5
5
10
1000
3
1
100
10
5
10
100
1000
Tc = 55°C
25
100
Common emitter
VCE = 5 V
30
50
500
0.1
1
10
Tc = 100°C
25
10
100
500
0.3
0.5
1
3
Common emitter
IC/IB = 10
55
5
1
3
10
30
300
3
10
30
1000
3000
*: Single nonrepetitive
pulse Tc = 25°C
Curves must be derated
linearly with increase in
temperature.
IC max (continuous)
IC max (pulsed)*
VCEO max
10 μs*
300 μs*
100 μs*
DC operation
Tc = 25°C
1 ms*
10 ms*
100
300
100
1000
500
0
400
300
200
100
2
4
8
12 14
20
Common emitter
Ta = 25°C
20
1
10
IB = 0.5 mA
40
2
5
60
100
80
6
10
16 18
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