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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2121 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SK2121 |
2SK2121
5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
4
6
8
10
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
Pulse Test
I = 50 A
20 A
10 A
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Drain Current I (A)
D
R
)
D
1
3
10
30
100
300
1000
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0005
4 V
V = 10 V
Pulse Test
Static Drain to Source State Resistance
vs. Drain Current
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature Tc (°C)
0
R
D
S
Pulse Test
10 V
10 A
20 A
50 A
V = 4 V
I = 50 A
10 A
20 A
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
F
Drain Current I (A)
–25 °C
Tc = 25 °C
75 °C
V = 10 V
Pulse Test
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
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PDF描述 |
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