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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2117 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | 2SK2117 |
2SK2116, 2SK2117
4
60
40
20
C
50
100
150
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
0
10
1
0.2
0.05
10
100
1,000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
5
0.5
0.1
1
3
30
300
Ta = 25°C
10
μ
s
100
DCOpeaion(T
C
=25C
Operation in this Area
is Limited by R
DS (on)
20
50
2
2SK2167
2SK2166
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 3.57°C/W, T
C
= 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
D=1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 Shot Pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2116 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2163 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220VAR |
| 2SJ403 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SJ404 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220AB |
| 2SJ405 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2118 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2119 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220FN |
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