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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2096 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | 2SK2096 |
2SK2096
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
I
AP
*
E
AR
*
Pch*
60
V
Gate to source voltage
±
20
45
V
Drain current
A
Drain peak current
1
180
A
Body to drain diode reverse drain current
45
A
Avalanche current
3
45
A
Avalanche energy
3
173
mJ
Channel dissipation
2
100
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2097 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2103T100 | Small switching (30V, 2A) |
| 2SK2117 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2116 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2163 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2096-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2097 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK2098 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET |
| 2SK2098-01M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
| 2SK2098-01MR | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET |
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