參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2085
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： 2SK2085
2SK2085
6
Reverse Drain Current I (A)
R
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
200
100
20
10
0.02
50
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
di / dt = 50 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
0
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
10
20
30
40
50
1000
100
10
1
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
200
160
D
120
80
40
0
Gate Charge Qg (nc)
D
20
16
12
8
4
0
G
G
Dynamic Input Characteristics
2
8
6
8
10
V = 25 V
50 V
80 V
V = 25 V
50 V
80 V
V
GS
DS
V
I = 1 A
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
200
100
50
20
10
5
2
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
V = 10 V
V = 30 V
PW = 2 μs
duty < 1 %
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PDF描述
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