參數(shù)資料
型號: 2SK2059S
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應晶體管
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大?。?/td> 47K
代理商: 2SK2059S
2SK2059(L), 2SK2059(S)
7
5
0.8
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
4
0.4
1.2
1.6
2
3
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
0
1
Pulse Test
V
GS
= 0,–5 V
5 V, 10 V
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 0.625°C/W, T
C
= 25°C
T
T
C
= 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vin
10 V
50
D.U.T
Vout Monitor
V
=
R
L
Waveforms
Vin
Vout
t
d (on)
10%
t
r
t
f
10%
90%
10%
90%
t
d (off)
90%
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PDF描述
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