參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2008
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 33K
代理商： 2SK2008
2SK2008
4
0
30
60
90
C
50
100
150
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Maximum Safe Operation Area
0.1
0.3
1
3
10
30
100
D
D
1
3
10
30
100 300
1000
Drain to Source Voltage V (V)
DS
Ta = 25°C
Operation in this
area is limited
by R
PW=1 m 1So)
μ
10010 s
3
Pulse Width PW (s)
N
γ
S
1.0
0.1
0.3
D = 1
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 Shot Pulse
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
S
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 2.08°C/W, T
C
= 25°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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