參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1950L
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 27K
代理商： 2SK1950L
2SK1950(L), 2SK1950(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
Pch*
60
V
Gate to source voltage
±
20
3
V
Drain current
A
Drain peak current
1
12
A
Body to drain diode reverse drain current
3
A
Channel dissipation
2
10
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1950S Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1951 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK1952 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
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參數(shù)描述
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