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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1948 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2SK1948 |
2SK1948
6
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
1
5
20
100
50
1000
5000
Reverse Drain Current I (A)
R
r2000
500
200
100
2
10
50
di/dt = 100 A/ s, V = 0
Ta = 25°C
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
1000
100
10
0
Drain to Source Voltage V (V)
C
10000
10
20
30
40
50
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
Dynamic Input Characteristics
80
Gate Charge Qg (nc)
160
240
320
400
100
200
400
500
D
D
4
8
12
16
20
G
G
0
0
300
I = 50 A
V = 200 V
100 V
50 V
V
V
V = 200 V
100 V
50 V
Switching Characteristics
0.5
1000
Drain Current I (A)
S
500
200
100
50
20
10
1
2
5
10
20
50
t (off)
t (on)
V = 10 V, V =
PW = 5 s
t
t
r
f
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1949 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1949L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1949S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1950L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK1954-Z-E1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1954-Z-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 180V 4A 650m@10V TO252 Cut Tape |
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