參數(shù)資料
型號: 2SK1947
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述: 硅N溝道場效應晶體管(不適用溝道MOSFET的)
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大小: 59K
代理商: 2SK1947
2SK1947
7
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
50
40
30
20
10
R
D
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V (V)
Pulse Test
V = 10 V
0, –5 V
0
T
C
= 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1 Shot Pulse
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 0.625, T
C
= 25°C
°C/W
3
γ
S
1
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
Pulse Width PW (s)
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