參數(shù)資料
型號： 2SK1869S
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 28K
代理商： 2SK1869S
2SK1869(L), 2SK1869(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
350
V
Gate to source voltage
±
30
V
Drain current
7
A
Drain peak current
28
A
Body to drain diode reverse drain current
7
A
Channel dissipation
50
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
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PDF描述
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