參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1859
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 33K
代理商： 2SK1859
2SK1859
4
90
0
100
50
150
Power vs. Temperature Derating
C
Case Temperature Tc (°C)
60
30
50
30
1
0.3
0.05
100
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
10
lmtedb R (on
10
1000
DCOpeaion(Tc=25C
PW=10m 1Sho)
3
0.1
1
Ta = 25°C
10 s
μ
μ
100 s
1ms
3
30
300
DS
PW
T
P
DM
θ
ch – c(t) = s(t .
ch – c = 2.08°C/W, Tc = 25°C
θ
PW
N
γ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10 μ
100 μ
1 m
10 m
100 m
1
10
1 Shot Pulse
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Pulse Width PW (S)
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PDF描述
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