參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1808
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 33K
代理商： 2SK1808
2SK1808
4
60
0
100
50
150
Power vs. Temperature Derating
C
Case Temperature Tc (°C)
40
20
10
0.1
0.01
3
100
300
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
3
10
30
1000
DCOpeaion(T =25C
PW=10m 1Sho)
100 s
μ
10 s
μ
1
0.3
0.03
1
Ta = 25°C
nthsaeais
lmtedbyR (on
DS
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1.0
3
Pulse Width PW (S)
N
γ
μ
μ
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1 shot Pulse
Tc = 25°C
θ
ch – c(t) = s(t).
ch – c = 3.57°C / W. Tc = 25°C
θ
P
D = T
PW
T
DM
θ
0.01
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
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PDF描述
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