參數(shù)資料
型號： 2SK1775
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 33K
代理商： 2SK1775
2SK1775
4
90
0
100
50
150
Power vs. Temperature Derating
C
Case Temperature Tc (°C)
60
30
50
30
1
0.3
0.05
3
100
300
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
10
10
30
1000
DCOpeaion(Tc=25C
PW=10ms(1Sho)
100 s
μ
10 s
μ
3
0.1
1
Ta = 25°C
lmtedbyR (on
DS
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
S
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 2.08°C/W, T
C
= 25°C
T
T
C
= 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1 Shot Pulse
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PDF描述
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參數(shù)描述
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