參數(shù)資料
型號： 2SK1669
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應晶體管
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： 2SK1669
2SK1669
4
5
8
20
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
4
1
4
12
16
0
2
3
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
10 A
5 A
I
D
= 20 A
Pulse Test
0.5
5
50
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
0.2
0.01
2
10
100
1
0.05
0.1
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
0.02
0.005
20
V
GS
= 10 V, 15 V
Pulse Test
0.2
40
160
Case Temperature T
C
(°C)
S
R
D
)
0.16
0.04
0
80
120
0
–40
0.08
0.12
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
V
= 10 V
Pulse Test
10 A
20 A
I
D
= 30 A
50
2
50
Drain Current I
D
(A)
F
y
20
2
1
5
20
0.5
5
10
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
Ta = –25°C
V
= 10 V
Pulse Test
0.5
1
10
25°C
75°C
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PDF描述
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