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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1629 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2SK1629 |
2SK1628, 2SK1629
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SK1628
V
DSS
450
V
2SK1629
500
Gate to source voltage
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
Pch*
±
30
30
V
Drain current
A
Drain peak current
1
120
A
Body to drain diode reverse drain current
30
A
Channel dissipation
2
200
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at T
C
= 25
°
C
Tstg
–55 to +150
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1636 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1636L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
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| 2SK1637 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK163 | Silicon N-Channel MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1629(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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| 2SK1637(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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