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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1618L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2SK1618L |
2SK1618(L), 2SK1618(S)
4
Power vs. Temperature Derating
60
40
20
0
C
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
10
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
1
1,000
2
5
1
0.2
0.5
0.1
0.02
0.05
0.01
3
10
30
100
300
100
μ
s
1m
DCOpeaion(T
C
=25C
PW=10m 1Sho Puse
10
μ
s
Ta = 25°C
i mtdb R
DS(n
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
S
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 4.17°C/W, T
C
= 25°C
T
T
C
= 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1 Shot Puse
0.01
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1618S | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1621 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1621L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1621S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1622 | Silicon N-Channel MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK161-GR(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK161-O(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Bulk |
| 2SK161-Y(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans JFET N-CH 3-Pin 2-4E1D 制造商:Toshiba 功能描述:Trans JFET N-CH 3-Pin 2-4E1D Bulk |
| 2SK1626-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 450V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Box |
| 2SK1629(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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