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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1526 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | 2SK1526 |
2SK1526, 2SK1527
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SK1526
V
DSS
450
V
2SK1527
500
Gate to source voltage
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
±
30
V
Drain current
40
A
Drain peak current
160
A
Body to drain diode reverse drain current
40
A
Channel dissipation
250
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at T
C
= 25
°
C
Tstg
–55 to +150
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