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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1520 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | 2SK1520 |
2SK1519, 2SK1520
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SK1519
V
DSS
450
V
2SK1520
500
Gate to source voltage
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
±
30
V
Drain current
30
A
Drain peak current
120
A
Body to drain diode reverse drain current
30
A
Channel dissipation
200
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at T
C
= 25
°
C
Tstg
–55 to +150
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1522 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1521 | Silicon N-Channel MOS FET |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SK1521(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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