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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1519 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | 2SK1519 |
2SK1519, 2SK1520
7
50
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
40
0.4
0.8
1.6
0
20
30
0
10
1.2
Pulse Test
10 V
V
GS
= 0, –5 V
Reverse Drain Current vs.
Sourse to Drain Voltage
3
Pulse Width PW (s)
N
γ
S
1
0.1
0.3
D = 1
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1 Shot Pulse
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 0.625°C/W, T
C
= 25°C
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vin
10 V
50
D.U.T
Vout Monitor
V
=
R
L
Waveforms
Vin
Vout
t
d (on)
10%
t
r
t
f
10%
90%
10%
90%
t
d (off)
90%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1520 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1522 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1521 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1526 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK152 | 2SK152 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1519-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK152 | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:2SK152 |
| 2SK1520 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1520(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
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