參數(shù)資料
型號： 2SK1518
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應晶體管
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 49K
代理商： 2SK1518
2SK1517, 2SK1518
5
10
8
20
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
8
2
4
12
16
0
4
6
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Pulse Test
I
D
= 5 A
20 A
10 A
5
100
Drain Current I
D
(A)
S
R
D
)
1
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
2
5
10
20
50
Pulse Test
V
GS
= 10 V
15 V
1.0
40
160
Case Temperature T
C
(°C)
S
R
D
)
0.8
0.2
0
80
120
0
0.4
0.6
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
–40
Pulse Test
V
GS
= 10 V
I
D
= 20 A
10 A
5 A
5
20
Drain Current I
D
(A)
F
y
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
0.2
1
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.5
1
2
5
10
–25°C
T
= 25°C
75°C
V
DS
= 20 V
Pulse Test
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PDF描述
2SK1519 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1520 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1522 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1521 Silicon N-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
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2SK1519 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 450V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
2SK1519-E 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET
2SK152 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:2SK152
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