參數(shù)資料
型號： 2SK1517
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大小： 49K
代理商： 2SK1517
2SK1517, 2SK1518
6
5,000
50
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
r
(
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
0.5
2,000
1,000
500
200
100
50
1
2
5
10
20
di/dt = 100 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
= 0
Pulse Test
10,000
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
10
30
40
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
1,000
100
10
Crss
Coss
Ciss
V
GS
= 0
f = 1 MHz
500
80
200
Gate Charge Qg (nc)
D
D
Dynamic Input Characteristics
400
100
40
120
160
0
200
300
20
16
4
0
8
12
G
G
V
= 100 V
250 V
400 V
V
DD
= 400 V
250V
100 V
I
D
= 20 A
V
DS
V
GS
500
50
Drain Current I
D
(A)
S
0.5
Switching Characteristics
200
100
50
20
10
5
1
2
5
10
20
V
= 10 V V
= 30 V
PW = 2
μ
s, duty < 1%
t
d (off)
t
f
t
d (on)
t
r
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