參數(shù)資料
型號： 2SK1339
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 33K
代理商： 2SK1339
2SK1339
4
120
80
40
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
C
Power vs. Temperature Derating
10
1000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
1
2
5
1
0.2
0.5
0.1
0.01
0.02
0.05
3
10
30
100
300
100
μ
1ms
DCOpeaion(T
=25C
PW=10m 1Sho)
Ta = 25°C
i mtedb R
DS(on
10
μ
s
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 1.56°C/W, T
C
= 25°C
T
T
C
= 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
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PDF描述
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