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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1335(L) |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 0.8 ohm, POWER, FET |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | 2SK1335(L) |
2SK1335(L), 2SK1335(S)
5
1,000
0.2
5
Reverse Drain Current IDR (A)
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
500
50
0.1
0.5
2
10
100
200
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
di/dt = 50 A/
s, V
GS = 0
Ta = 25°C
Pulse Test
0.05
20
1
20
50
Drain to Source Voltage VDS (V)
Capacitance
C
(pF)
1,000
10
30
40
1
100
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
10
Crss
Coss
Ciss
VGS = 10V
Pulse Test
500
820
Gate Charge Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
Dynamic Input Characteristics
400
100
412
16
0
200
300
VDS
50 V
20
16
4
0
8
12
VDD = 50 V
100 V
150 V
ID = 3 A
100 V
VDD = 150 V
VGS
Gate
to
Source
Voltage
V
GS
(V)
500
0.2
3
Drain Current ID (A)
Switching
Time
t
(ns)
200
20
0.1
0.5
2
5
50
100
0.05
10
1
Switching Characteristics
tf
td (on)
tr
VGS = 10 V VDD = 30 V
PW = 2
s, duty < 1%
td (off)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1336-E | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
| 2SK1338-E | 2 A, 900 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK1340-E | 5 A, 900 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 |
| 2SK1341-E | 6 A, 900 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1401-E | 15 A, 300 V, 0.35 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1335S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1336 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1336 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-92 |
| 2SK1336-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-92 |
| 2SK1336TL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR MOSFET TO 92 E LINE TO 237 |
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