參數(shù)資料
型號: 2SK1299S
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 2/9頁
文件大?。?/td> 48K
代理商: 2SK1299S
2SK1299(L), 2SK1299(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
100
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
3
A
Drain peak current
12
A
Body to drain diode reverse drain current
3
A
Channel dissipation
20
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes: 1. PW
10
μ
s, duty cycle
1%
2. Value at T
C
= 25
°
C
Tstg
–55 to +150
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