參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1228
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET
中文描述： 50 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236
封裝： ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： 2SK1228
1
Silicon MOS FETs (Small Signal)
2SK1228
Silicon N-Channel MOS FET
unit: mm
1: Gate
2: Source
3: Drain
JEDEC: TO-236
EIAJ: SC-59
Mini Type Package (3-pin)
2.8
+0.2
–0.3
1.5
+0.25
–0.05
0.65±0.15
0.65±0.15
3
1
2
0
0
1
0
+
–
1
+
–
0
0.4±0.2
0
0
+
–
1
0.1 to 0.3
2
+
–
Marking Symbol: 4V
For switching
I
Features
G
High-speed switching
G
Wide frequency band
G
Incorporating a built-in gate protection-diode
G
Allowing 2.5V drive
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source voltage
Gate to Source voltage
Drain current
Max drain current
Allowable power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Symbol
V
DS
V
GSO
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
stg
Ratings
50
10
50
100
150
150
55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
I
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Parameter
Drain to Source cut-off current
Gate to Source leakage current
Drain to Source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Drain to Source ON-resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance (Common Source)
Output capacitance (Common Source)
Reverse transfer capacitance (Common Source)
Turn-on time
Turn-off time
Symbol
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
th
R
DS(on)*
1
| Y
fs
|
C
iss
C
oss
C
rss
t
on*
2
t
off*
2
Conditions
V
DS
= 20V, V
GS
= 0
V
GS
= 10V, V
DS
= 0
I
D
= 10
μ
A, V
GS
= 0
I
D
= 100
μ
A, V
DS
= 5V
I
D
= 10mA, V
GS
= 2.5V
I
D
= 10mA, V
DS
= 5V, f = 1kHz
V
DS
= 5V, V
GS
= 0, f = 1MHz
V
DD
= 5V, V
GS
= 0 to 2.5V, R
L
= 470
V
DD
= 5V, V
GS
= 2.5 to 0V, R
L
= 470
min
50
0.5
20
typ
100
0.8
27
39
4.5
4.1
1.2
0.2
0.2
Unit
μ
A
μ
A
V
V
mS
pF
pF
pF
μ
s
μ
s
max
1
1
1.1
50
*1
Pulse measurement
*2
t
on
, t
off
measurement circuit
V
out
V
DD
= 5V
V
GS
= 2.5V
50
470
1
μ
F
V
in
V
out
90%
10%
10%
90%
t
on
t
off
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PDF描述
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