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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1168 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | 2SK1168 |
2SK1167, 2SK1168
4
Power vs. Temperature Derating
150
100
50
0
C
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
Maximum Safe Operation Area
100
30
10
3
0.1
1
3
10
30
100
300
1,000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
1.0
0.3
Operation in this area
is limited by R
DS (on)
1ms
10
μ
s
100
s
Ta= 25°C
DCOpeaion(T
C
=25C
2SK1168
2SK1167
Typical Output Characteristics
20
12
8
4
0
4
8
12
20
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
6 V
16
16
V
GS
= 4V
Pulse Test
4.5 V
5.0 V
5.5 V
10 V
Typical Transfer Characteristics
20
16
8
4
0
2
4
6
8
10
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
12
T
C
= 25°C
75°C
–25°C
V
= 20 V
Pulse Test
10
8
4
2
0
4
8
12
16
20
6
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
V
D
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
Pulse Test
10 A
I
D
= 5 A
20 A
5
2
1.0
0.5
0.05
1
2
5
20
50
100
Drain Current I
D
(A)
0.1
0.2
Pulse Test
10
V
GS
= 10 V
15 V
S
R
D
)
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1169 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1170 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1178 | MOSFET |
| 2SK1179 | MOSFET |
| 2SK1180 | MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1168-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Cut Tape |
| 2SK1169 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 450V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3P 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 450V 20A 3PIN TO-P - Rail/Tube |
| 2SK1169-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK117 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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