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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1159 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | 2SK1159 |
2SK1159, 2SK1160
5
2.0
40
160
Case Temperature T
C
(°C)
S
R
D
S
)
1.6
0.4
0
80
120
0
–40
0.8
1.2
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Temperature
I
D
= 10 A
V
= 10 V
Pulse Test
2, 5 A
50
0.5
10
Drain Current I
D
(A)
F
y
20
2
0.2
1.0
5
0.5
5
10
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
V
= 20 V
Pulse Test
0.1
1.0
2
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
5,000
1.0
20
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
r
2,000
200
0.5
2
10
50
500
1,000
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
0.2
100
5
di/dt = 100 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
= 0
Pulse Test
10,000
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
100
10
30
40
10
1,000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
V
= 0
f = 1 MHz
0
Ciss
Coss
Crss
500
40
100
Gate Charge Qg (nc)
D
D
Dynamic Input Characteristics
400
100
20
60
80
0
200
300
V
DS
20
16
4
0
8
12
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
I
D
= 8 A
250 V
100 V
V
DD
= 400 V
V
GS
G
G
500
1.0
20
Drain Current I
D
(A)
S 200
0.5
2
10
5
50
100
0.2
10
5
Switching Characteristics
t
d (off)
t
f
t
r
t
d (on)
V
= 10 V, V
= 30 V
PW = 2
μ
s, duty < 1%
20
0.8
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
16
0.4
1.2
1.6
8
12
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
0
4
5, 10 V
V
GS
= 0, –10 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1160 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1161 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1160 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1161 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 450V 10A 3PIN TO-P - Rail/Tube 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1161(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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