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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK1159-E |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | 8 A, 450 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | SC-46, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 175K |
| 代理商： | 2SK1159-E |
2SK4210
No. A1517-4/5
A S O
VGS -- Qg
PD -- Tc
Total Gate Charge, Qg -- nC
Gate-to-Source
V
oltage,
V
GS
--
V
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Drain
Current,
I
D
--
A
Case Temperature, Tc --
°C
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
--
W
PD -- Ta
Ambient Temperature, Ta --
°C
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
--
W
0
20
40
60
80
100
120
3.0
2.5
140
160
2.0
1.5
1.0
0.5
IT14799
0
20
40
60
80
100
140
120
100
120
140
180
190
160
80
60
40
20
200
160
IT14800
IT14810
0.1
2
3
1.0
5
7
2
0.1
100
μs
100ms
10ms
1ms
DC
operation
1.0
10
100
23 5 7
7
2
1000
35
2
35 7
10
3
5
7
5
2
3
ID=10A
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
IDP=20A
PW
≤10μs
Tc=25
°C
Single pulse
080
70
50
60
10
20
30
40
3
10
0
1
4
IT14809
8
9
5
6
7
2
VDS=200V
ID=10A
EAS -- Ta
A
valanche
Ener
gy
derating
factor
--
%
Ambient Temperature, Ta --
°C
0
25
50
75
100
125
150
100
80
60
20
40
120
175
IT10478
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1163-E | 11 A, 450 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1164 | 0.8 ohm, POWER, FET |
| 2SK1165-E | 12 A, 450 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1166-E | 12 A, 500 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1170 | 0.27 ohm, POWER, FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1160 | 制造商:HITACHI 制造商全稱(chēng):Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1161 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 450V 10A 3PIN TO-P - Rail/Tube 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK1161(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1161-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
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