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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1158 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | 2SK1158 |
2SK1157, 2SK1158
6
5,000
1.0
20
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
r
2,000
200
0.5
2
10
50
500
1,000
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
0.2
100
5
di/dt = 100 A/
μ
s, Ta = 25°C
V
= 0
Pulse Test
5,000
20
50
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
C
100
10
30
40
5
1,000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
0
Crss
Ciss
Coss
V
= 0
f = 1 MHz
10
500
16
40
Gate Charge Qg (nc)
D
D
Dynamic Input Characteristics
400
100
8
24
32
0
200
300
V
DS
100 V
20
16
4
0
8
12
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
I
D
= 7 A
250 V
V
= 400 V
V
GS
G
G
1.0
20
Drain Current I
D
(A)
S
500
50
0.5
2
10
10
100
200
V
= 10 V V
= 30 V
PW = 2
μ
s, duty < 1%
0.2
20
5
Switching Characteristics
t
d (off)
t
r
t
d (on)
t
f
5
20
0.8
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
16
0.4
1.2
1.6
8
12
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
0
4
5, 10 V
V
GS
= 0, –10 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1159 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1160 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1161 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1162 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1163 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1158-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1159 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 450V 8A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube |
| 2SK1160 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1161 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 450V 10A 3PIN TO-P - Rail/Tube 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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