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參數資料
| 型號： | 2SK1157 |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SK1157 |
2SK1167, 2SK1168
6
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
di/dt = 100 A/
s, Ta = 25°C
VGS = 0
Pulse Test
Reverse Drain Current IDR (A)
Reverse
Recovery
Time
t
rr
(ns)
5,000
2,000
500
200
100
50
1,000
0.2
0.5
1.0
2
5
10
20
Typical Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
100
010
20
30
40
50
Drain to Source Voltage VDS (V)
Capacitance
C
(pF)
Coss
Ciss
Crss
10
VGS = 0
f = 1 MHz
1,000
10,000
Dynamic Input Characteristics
500
400
300
200
100
0
20
40
60
80
100
Gate Charge Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
DS
(V)
20
16
12
8
4
0
Gate
to
Source
Voltage
V
GS
(V)
VDD = 100 V
VDD = 400 V
250 V
VDS
ID = 15 A
400 V
VGS
100 V
Switching Characteristics
1,000
200
100
50
20
10
500
Switching
Time
t
(ns)
0.5
1.0
2
5
10
20
50
Drain Current ID (A)
VGS = 10 V, VDD 30 V
PW = 2
s, duty < 1%
td (off)
tr
tf
td (on)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1158 | |
| 2SK1159 | |
| 2SK1160 | |
| 2SK1161 | |
| 2SK1162 | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK1157(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1157-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1158 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1158-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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